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半导体功率器件

半导体功率器件

  • ​公司功率半导体器件产物重要包孕500V~900V超结功率MOSFET、600V~700V Multi EPI超结功率MOSFET、20V~150V沟槽式功率MOSFET(N沟道和P沟道)、60V~100V单沟槽功率MOSFET、40V~1000V PLANAR VDMOS和IGBT、IGTO、高压半桥Driver IC等。产物普遍应用于逆变器、交直流驱动、开关电源、充电器、LED照明、硬开关和高频电路等市场。

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